Příprava a charakterizace tenkých vrstev Ge-Bi-Se

Štroblíková, Ilona

Publikace:
Příprava a charakterizace tenkých vrstev Ge-Bi-Se

Diplomová práceopen access

dc.contributor.advisor	Bouška, Marek
dc.contributor.author	Štroblíková, Ilona
dc.contributor.referee	Janíček, Petr
dc.date.accepted	2019-06-05
dc.date.accessioned	2019-06-18T08:51:21Z
dc.date.available	2019-06-18T08:51:21Z
dc.date.issued	2019
dc.date.submitted	2019-05-10
dc.description.abstract	Tato diplomová práce je věnována přípravě a charakterizaci tenkých vrstev systému Ge-Bi-Se, které byly připraveny fyzikální depozicí z plynné fáze metodou co-sputtering. V teoretické části jsou uvedeny charakteristiky tenkých vrstev, mechanizmy jejich růstu, systémy Ge-Bi-Se, rozdělení depozičních technik a přiblížení používaných materiálů. Experimentální část je věnována charakterizaci připravených vrstev, přičemž každý vzorek obsahuje jiné zastoupení prvků. Tyto vzorky byly měřeny charakterizačními metodami: elipsometrie, mikroskopie atomárních sil, skenovací elektronová mikroskopie s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem, rentgenová difrakční analýza a profilometrie.	cze
dc.description.abstract-translated	This thesis is devoted to the preparation and characterization of thin films of the Ge-Bi-Se system, which were prepared by Physical Vapour Deposition co-sputtering method. The theoretical part has given characteristics of thin films, mechanism of their growth, Ge-Bi-Se systems, divided deposition techniques and approximation of used materials. The goal, of experimental parts, is devoted to characterization of prepared thin films, each sample contains different representation of elements. These samples were measured by characterization methods on ellipsometry, atomics force microscopy, scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray analyzer, X-ray diffraction analysis and profilometry.	eng
dc.description.defence	prof. Ing. Petr Němec, Ph.D. - Zodpovězte otázka opneneta. Jaká je chyba stanovení chemického složení? prof. Ing. Petr Kalenda, CSc. - Jak dlouhose dělí depozita tenkých vrstev? prof. Ing. Michal Veselý, CSc. - Můžete z obrázku 21 odečíst hodnotu indexu lomu pro 500nm?	cze
dc.description.department	Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze
dc.format	62 s.
dc.identifier	Univerzitní knihovna (studovna)	cze
dc.identifier.signature	D40306
dc.identifier.stag	38037
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/73643
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	bez omezení	cze
dc.subject	tenké vrstvy	cze
dc.subject	systém Ge-Bi-Se	cze
dc.subject	co-sputtering	cze
dc.subject	sputtering	cze
dc.subject	charakterizace tenkých vrstev	cze
dc.subject	thin films	eng
dc.subject	system Ge-Bi-Se	eng
dc.subject	co-sputtering	eng
dc.subject	sputtering	eng
dc.subject	characterization thin films	eng
dc.thesis.degree-discipline	Polygrafie	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.
dc.thesis.degree-program	Polygrafie	cze
dc.title	Příprava a charakterizace tenkých vrstev Ge-Bi-Se	cze
dc.title.alternative	Preparation and characterization of Ge-Bi-Se thin films	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dspace.entity.type	Publication