Digitální knihovna UPCE přechází na novou verzi. Omluvte prosím případné komplikace. / The UPCE Digital Library is migrating to a new version. We apologize for any inconvenience.

Publikace:
Utilization of As50Se50 thin films in electron beam lithography

Článekopen accesspeer-reviewedsubmitted version (preprint)
Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.authorPálka, Karel
dc.contributor.authorKurka, Michal
dc.contributor.authorŠlang, Stanislav
dc.contributor.authorVlček, Miroslav
dc.date.accessioned2022-06-03T12:27:45Z
dc.date.available2022-06-03T12:27:45Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractChalcogenide glass of As50Se50 composition have been intensively studied for its interesting physical and chemical properties. Presented manuscript explores the applicability of As50Se50 thermally evaporated thin films in electron beam lithography exploiting wet etching in amine based solution. As50Se50 films proved to be highly sensitive negative resist. Decrease of the etching selectivity with increasing accelerating voltage and its increase with increasing exposure dose were observed. Height irregularities of prepared structures connected with the electron beam scattering and preferential etching of upper edges were observed and thoroughly studied. Comparison of photoinduced chemical resistance changes showed same trends as in case of electron beam induced changes - chemical resistance significantly increased with increasing exposure dosages.eng
dc.description.abstract-translatedChalkogenidová skla As50Se50 byla intenzivně studována pro jejich zajímavé fyzikální a chemické vlastnosti. Tato práce je zaměřena na možnost aplikace vakuově napařených vrstev As50Se50 pro elektronovou litografii s využitím mokrého leptání v zásaditých roztocích aminů. Tenké vrstvy As50Se50 prokázaly vysokou sensitivitu jako negativní rezist. Byl taktéž pozorován pokles leptací selektivity s nárůstem urychlovacího napětí a naopak nárůst selektivity s rostoucí expoziční dávkou. Byly pozorovány a podrobně studovány výškové nerovnoměrnosti připravených struktur, které byly spojené s rozptylem elektronového paprsku a preferenčním leptáním horních hran zapsaných objektů. Porovnání fotoindukovaných změn chemické odolnosti prokázalo stejné trendy jako v případě elektrony indukovaných změn - chemická odolnost výrazně vzrostla s rostoucí expoziční dávkou.cze
dc.formatp. 124052eng
dc.identifier.doi10.1016/j.matchemphys.2020.124052
dc.identifier.issn0254-0584
dc.identifier.obd39886168
dc.identifier.scopus2-s2.0-85096417492
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10195/79281
dc.identifier.wos000615726500005
dc.language.isoeng
dc.peerreviewedyeseng
dc.publicationstatussubmitted version (preprint)eng
dc.publisherElsevier Science SAeng
dc.relation.ispartofMaterials Chemistry and Physics, volume 259, issue: Februaryeng
dc.relation.publisherversionhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0254058420314127
dc.rightsopen access (green)eng
dc.subjectchalcogenide glasseseng
dc.subjectthin filmseng
dc.subjectwet etchingeng
dc.subjectelectron beam lithographyeng
dc.subjectchalcogenidová sklacze
dc.subjecttenké vrstvycze
dc.subjectmokré leptánícze
dc.subjectElektronová litografiecze
dc.titleUtilization of As50Se50 thin films in electron beam lithographyeng
dc.title.alternativeVyužití tenkých vrstev As50Se50 v elektronové litografiicze
dc.typeArticleeng
dspace.entity.typePublication

Soubory

Původní svazek

Nyní se zobrazuje 1 - 1 z 1
Náhled
Název:
manuscript_revize.pdf
Velikost:
763.29 KB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
manuscript_revize.pdf (763.29 KB)

Kolekce

Publikační činnost akademických pracovníků UPCE / UPCE Research Outputs
Publikační činnost akademických pracovníků FChT / FChT Research Outputs