Využití organokovových sloučenin pro depozice anorganických materiálů

Abstract

Práce byla věnována studiu organokových prekurzorů, které by mohly byt využity především pro depozice tenkých vrstev III-VI materiálů. První část disertační práce se zabývala studiem možného využití známých N → Ga intramolekulárně koordinovaných chalkogenidů jako vhodných SSP pro přípravu tenkých polovodičových vrstev III-VI materiálů. Druhým cílem této práce byla snaha o přípravu monomerních N → M (M = Ga, In) intramolekulárně koordinovaných chalkogenidů a chalkogenolátů prvků 13. skupiny. Pro tento účel byly v této práci využity rozdílné N,C,N- a C,N-chelatující ligandy L1-3 (L1 je {2,6-(Me2NCH2)2C6H3}-, L2 je {2-(Et2NCH2)-4,6-tBu2-C6H2}- a L3 je {2,6-(tBuN=CH)2C6H3}-).