Optically induced diffusion and dissolution of Ag into thin films of chalkogenide glass systems of Ge-S and Ge-Ga-S

Abstract

CB RAM paměti představují jeden z nových, často zkoumaných druhů pamětí, jejichž spínání probíhá na bázi vytváření a zpětnému přerušování vodivého můstku s násobně vyšší vodivostí, než je vodivost elektrolytu. Tato disertační práce se zabývá výzkumem amorfních tenkých vrstev Ge-Ga-S jakožto potenciálních elektrolytů pro CB RAM paměti.