Příprava a fyzikálně chemické vlastnosti vybraných vzorků systému Ag-Sb-Pb-Ge-Te

Koziel, Petr

Publikace:
Příprava a fyzikálně chemické vlastnosti vybraných vzorků systému Ag-Sb-Pb-Ge-Te

Diplomová práceOmezený přístup

dc.contributor.advisor	Frumar, Miloslav	cze
dc.contributor.author	Koziel, Petr
dc.contributor.referee	Navrátil, Jiří	cze
dc.date.accepted	2010	cze
dc.date.accessioned	2010-06-17T20:15:59Z
dc.date.available	2010-06-17T20:15:59Z
dc.date.issued	2010
dc.description.abstract	Byly připraveny vybrané objemové vzorky ze systémů GeTe - AgSbTe2 a AgGeSbTe3 - AgPbSbTe3. Mžikovým vakuovým napařováním byly připraveny tenké vrstvy na skleněné a křemíkové substráty. Temperací tenkých vrstev nad teplotou fázového přechodu byly pod ochrannou atmosférou inertního plynu (Ar) připraveny krystalické tenké vrstvy. Amorfní i krystalické vrstvy byly charakterizovány pomocí diferenční skenovací kalorimetrie (DSC), rentgenové difrakční analýzy (XRD), energiově dispersní rentgenové analýzy (EDX). Výsledky spektroskopické elipsometrie s proměnným úhlem (VASE) a optické propustnosti a reflektivity v UV, VIS, NIR oblasti spektra byly použity k vyhodnocení optické šířky zakázaného pásu a dalších optických parametrů. Byla měřena izokinetická teplotní závislost plošného elektrického odporu van der Pauwovou metodou a vyhodnoceny aktivační energie elektrické vodivosti. Čerstvě připravené vrstvy obsahující germanium se dle XRD podařilo připravit amorfní, vrstvy bez obsahu germania byly krystalické. Z měření DSC a teplotní závislosti plošného elektrického odporu zjištěného van der Pauwovou metodou vyplývá, že ke krystalizaci amorfních vrstev zpravidla docházelo v rozmezí teplot 130 ? 170 °C. Některé ze studovaných materiálů mohou být vhodné pro použití jako aktivní materiál pro permanentní ?phase-change? paměti. U některých vzorků, činil rozdíl v hodnotách optické reflektivity cca. 20% v celém rozsahu viditelného spektra. Rozdíl v hodnotách plošného elektrického odporu mezi krystalickou a amorfní fází byl u většiny vzorků přibližně tři řády.	cze
dc.description.abstract-translated	Bulk samples of GeTe - AgSbTe2 and AgGeSbTe3 - AgPbSbTe3 systems were prepared. Thin films were prepared by flash evaporation on glass and silicon substrates. Crystalline thin films were prepared by annealing of thin films at a teperature above the phase-change temperature in a protective atmosphere of inert gas (Ar). Amorphous and crystalline layers were characterized by differential scanning kalorimetry (DSC), X-ray diffraction (XRD), energy dispersive X-ray analysis (EDX). Results of variable angle spectroscopic ellipsometry (VASE), optical transmittance and reflectivity in the UV, VIS, NIR were used to evaluate the optical band gap width and other optical parameters. The isokinetic temperature dependence of sheet resistance was measured by van der Pauw method and the activation energy of electrical conductivity was evaluated. As-deposited thin films containing germanium were amorphous (according to XRD), germanium free layers were crystalline. The DSC measurements and temperature dependence of sheet resistance by Van der Pauw method showed that the crystallisation of the amorphous thin films usually occurred in the temperature range 130-170 ° C. Some of the studied materials could be suitable for use as active materials in nonvollatile phase-change memories. The difference in the values of the optical reflectivity of some samples was approx. 20% in the whole range of the visible spectrum. The difference in the values of sheet resistance between crystalline and amorphous phase for most samples was approximately three orders of magnitude.	eng
dc.description.department	Katedra obecné a anorganické chemie	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze
dc.format	116 s.	cze
dc.format.extent	3340663 bytes	cze
dc.format.mimetype	application/pdf	cze
dc.identifier	Univerzitní knihovna (sklad)	cze
dc.identifier.signature	D21977	cze
dc.identifier.signature	D21977
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/36075
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	pouze v rámci univerzity.	cze
dc.subject	Paměti založené na fázové změně	cze
dc.subject	tenké vrstvy	cze
dc.subject	mžikové vakuové napařování	cze
dc.subject	Ag-Sb-Pb-Ge-Te	cze
dc.subject	GeTe-AgSbTe2	cze
dc.subject	AgSbGeTe3-AgSbPbTe3	cze
dc.subject	van der Pauwova metoda	cze
dc.subject	Phase-change memories	eng
dc.subject	thin films	eng
dc.subject	flash evaporation	eng
dc.subject	Ag-Sb-Pb-Ge-Te	eng
dc.subject	GeTe-AgSbTe2	eng
dc.subject	AgSbGeTe3-AgSbPbTe3	eng
dc.subject	van der Pauw method	eng
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.	cze
dc.thesis.degree-program	Chemie a technologie materiálů	cze
dc.title	Příprava a fyzikálně chemické vlastnosti vybraných vzorků systému Ag-Sb-Pb-Ge-Te	cze
dc.title.alternative	Preparation and physico-chemical properties of some Ag-Sb-Pb-Ge-Te system samples	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dspace.entity.type	Publication