Charakterizace mikrodefektů v monokrystalech Czochralskiho křemíku

Jiroušková, Ema

Publikace:
Charakterizace mikrodefektů v monokrystalech Czochralskiho křemíku

Diplomová práceopen access

dc.contributor.advisor	Střižík, Lukáš
dc.contributor.author	Jiroušková, Ema
dc.contributor.referee	Wágner, Tomáš
dc.date.accepted	2024-06-03
dc.date.accessioned	2024-07-08T13:54:29Z
dc.date.available	2024-07-08T13:54:29Z
dc.date.issued	2024
dc.date.submitted	2024-05-09
dc.description.abstract	Předkládaná diplomová práce se zabývá studium mikrodefektů ve slabě legovaném N-typovém Czochralskim křemíku. Charakterizace distribuce a charakteru mikrodefektů v křemíkových deskách byla provedena pro dvě skupiny desek lišících se podstoupením kroku denudačního žíhání. Na deskách byly provedeny vysokoteplotní testy s cílem zvýraznit existující mikrodefekty. Analýza mikrodefektů na křemíkových deskách byla provedena pomocí optické mikroskopie a skenovací elektronové mikroskopie s metodou detekce hran a rozptylem laserového svazku. Diplomová práce byla vytvořena za podpory společnosti ON Semiconductor Czech Republic, s. r. o. v Rožnově pod Radhoštěm.	cze
dc.description.abstract-translated	The presented diploma thesis deals with the study of microdefects in lightly doped N-type Czochralski silicon. Characterization of the distribution and nature of microdefects in silicon wafers was performed for two groups of wafers differing in the denudation annealing step. High-temperature tests were conducted on the wafers to highlight existing microdefects. Analysis of microdefects on the silicon wafers was carried out by using optical microscopy and scanning electron microscopy with edge detection method and laser beam scattering. This diploma thesis was created with the support of ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o. in Rožnov pod Radhoštěm.	eng
dc.description.defence	Diplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagovala na připomínky oponenta. Zodpověděla otázky členů komise: Diskutujte jaké oxidy při tažení monokrystalu křemíku? Proč se u leptání používá CuCl2.2H2O. Proč je nejvíc kyslíku na začátku a na konci monokrystalu? Byly vakance studovány pomocí elektronové mikroskopie? Jak velké byly void defekty? Definujte pojem intersticiální část monokrystalu. Jaká je šířka zakázaného pásu křemíku? Jak by šla připravit Si deska bez přítomnosti kyslíku na povrchu?	cze
dc.description.department	Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze
dc.identifier.stag	47995
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/83460
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	Bez omezení
dc.subject	Czochralskiho křemík	cze
dc.subject	Czochralski silicon	eng
dc.subject	mikrodefekty	cze
dc.subject	denudační žíhání	cze
dc.subject	vysokoteplotní testy	cze
dc.subject	microdefects	eng
dc.subject	denudation annealing	eng
dc.subject	high-temperature tests	eng
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.
dc.thesis.degree-program	Materiálové inženýrství	cze
dc.title	Charakterizace mikrodefektů v monokrystalech Czochralskiho křemíku	cze
dc.title.alternative	Characterization of microdefects in Czochralski silicon single crystals	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dspace.entity.type	Publication