Chalkogenidy, materiály pro paměti se změnou fáze a vodivosti - Bartoš, Miroslav (Univerzita Pardubice, 2012)
Práce se zabývá studiem materiálů potenciálně vhodných pro výrobu elektricky spínaných pamětí. Práce se zabývá dvěma systémy - Ge2Sb2,3Te4Se a Ge28-xGaxS72. Z materiálů byly připravené tenké vrstvy, ty byly charakterizovány a následně dále byly studovány jejich fyzikálně chemické vlastnosti - v případě Ge-Sb-Te-Se byla změřena teplotní závislost plošného elektrického odporu a získané zakrystalované vrstvy byly znovu charakterizovány a porovnány s vrstvami amorfními a v případě Ge-Ga-S bylo studováno chování stříbra během fotoindukovaného rozpouštění do připravených vrstev.
Chalcogenides, materials for phase change memories and conductive bridge memories
Keywords: chalkogenidová skla; amorfní polovodiče; tenké vrstvy; paměti; iontové vodiče; optické vlastnosti; elektrické vlastnosti; chalcogenide glasses; amorphous semiconductors; thin films; memory; ion conductors; optical properties; electrical properties