Odporové spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů - Zhang, Bo (Univerzita Pardubice, 2017)
Technologie resistivního přepínání paměti slibuje budoucnost, které nahradí tradiční paměť typu "flash-disku" nebo diskové paměti. Tenká vrstva chalkogenidu, dopovaného Ag nebo Cu, je typickým elektrolytem a vysoký a nízky odpor se upravují v důsledku tvorby a rozpouštění vodivého vlákna. Přesněji řečeno, AsS2 a GeSe2 byly vybrány jako elektrolyt a Ag bylo dopovaná v elektrolytické vrstvě "foto-dopingem" a rozpouštěním z horní nebo spodní vrstvy kovu do elektrolytu. Navíc geometrie paměťových cel ovlivňuje také parametry odporového spínání.
Resistive switching with chalcogenide thin layer
Keywords: odporové spínání; tenké vrsty chalkogenidů; vodivé vlákno; resistive switching; chalcogenide thin layer; conductive filament