Růst krystalů GeS2 v taveninách systému Ge-S

Abstract

Tato bakalářská práce se zabývá studiem růstu krystalů GeS2 v taveninách systému Ge-S. V teoretické části je popsána charakteristika chalkogenidových skel, struktura GeS2, oblast sklotvornosti systému Ge-S, princip nukleace a mechanismy růstu krystalů. Experimentální část práce je zaměřena na mikroskopické sledování rychlosti růstu krystalů GeS2 ve vzorcích sklovitého Ge34S66 při různých teplotách.