Digitální knihovnaUPCE
 

Organoselenium Precursors for Atomic Layer Deposition

ČlánekOtevřený přístuppeer-reviewedpublished version
Náhled

Datum publikování

2021

Autoři

Charvot, Jaroslav
Zazpe, Raul
Macák, Jan
Bureš, Filip

Vedoucí práce

Oponent

Název časopisu

Název svazku

Vydavatel

American Chemical Society

Abstrakt

Organoselenium compounds with perspective application as Se precursors for atomic layer deposition have been reviewed. The originally limited portfolio of available Se precursors such as H2Se and diethyl(di)selenide has recently been extended by bis trialkylsilyl)selenides, bis(trialkylstannyl)selenides, cyclic selenides, and tetrakis(N,N-dimethyldithiocarbamate)-selenium. Their structural aspects, property tuning, fundamental properties, and preparations are discussed. It turned out that symmetric four- and six-membered cyclic silyl selenides possess well-balanced reactivity/stability, facile and cost-effective synthesis starting from inexpensive and readily available chlorosilanes, improved resistance toward air and moisture, easy handling, sufficient volatility, thermal resistance, and complete gas-to-solid phase exchange reaction with MoCl5, affording MoSe2 nanostructures. These properties make them the most promising Se precursor developed for atomic layer deposition so far.

Rozsah stran

p. 6554-6558

ISSN

2470-1343

Trvalý odkaz na tento záznam

Projekt

Zdrojový dokument

ACS Omega, volume 6, issue: 10

Vydavatelská verze

https://doi.org/10.1021/acsomega.1c00223

Přístup k e-verzi

open access

Název akce

ISBN

Studijní obor

Studijní program

Signatura tištěné verze

Umístění tištěné verze

Přístup k tištěné verzi

Klíčová slova

organoselenium, precursors for atomic layer deposition, organoselenové prekurzory, depozice atomárních vrstev

Endorsement

Review

item.page.supplemented

item.page.referenced

Creative Commons license

Except where otherwised noted, this item's license is described as open access