Show simple item record
dc.contributor.author |
Čermák, Patrik
|
cze |
dc.contributor.author |
Knotek, Petr
|
cze |
dc.contributor.author |
Ruleová, Pavlína
|
cze |
dc.contributor.author |
Holý, Václav
|
cze |
dc.contributor.author |
Pálka, Karel
|
cze |
dc.contributor.author |
Kucek, Vladimír
|
cze |
dc.contributor.author |
Beneš, Ludvík
|
cze |
dc.contributor.author |
Navrátil, Jiří
|
cze |
dc.contributor.author |
Drašar, Čestmír
|
cze |
dc.date.accessioned |
2020-03-19T13:20:51Z |
|
dc.date.available |
2020-03-19T13:20:51Z |
|
dc.date.issued |
2019 |
eng |
dc.identifier.issn |
0022-4596 |
eng |
dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/75160 |
|
dc.description.abstract |
Few binary compounds attract as much attention as Bi2Se3. In addition to its use as thermoelectric, it has become one of the prototype 3D topological insulators, and it has been demonstrated that doping in appropriate levels can induce magnetism and even superconductivity in bulk Bi2Se3. In this article, we continue the examination of doping with sixth group transition elements, namely, Mo. The solubility of Mo in the host matrix is very low; however, it induces remarkable changes in the material properties. For low doping levels, Mo changes the intrinsic defect structure of Bi2Se3 featuring the Se vacancies toward a structure characterized by embedded Bi-2 double layers. Counterintuitively, Mo doping markedly enhances the mobility of free charge carriers in Bi2Se3 and drives its thermoelectric power factor to its maximum value over a broad temperature range. We provide evidence that the rather disordered structure must not be necessarily detrimental to charge transport in Bi2Se3. |
eng |
dc.format |
p. 819-827 |
eng |
dc.language.iso |
eng |
eng |
dc.publisher |
Elsevier Science Inc. |
eng |
dc.relation.ispartof |
Journal of Solid State Chemistry, volume 277, issue: september |
eng |
dc.rights |
pouze v rámci univerzity |
cze |
dc.subject |
thermoelectrics |
eng |
dc.subject |
single crystal |
eng |
dc.subject |
transition metal doping |
eng |
dc.subject |
defects |
eng |
dc.subject |
transport properties |
eng |
dc.subject |
termoelektřina |
cze |
dc.subject |
monokrystal |
cze |
dc.subject |
dopování přechodným kovem |
cze |
dc.subject |
defekty |
cze |
dc.subject |
transportní vlastnosti |
cze |
dc.title |
High power factor and mobility of single crystals of Bi2Se3 induced by Mo doping |
eng |
dc.title.alternative |
Vysoký výkonový faktor a pohyblivost monokrystalů Bi2Se3 vyvolané dopováním Mo |
cze |
dc.type |
article |
eng |
dc.description.abstract-translated |
Jen málo binárních sloučenin přitahuje tolik pozornosti jako Bi2Se3. Kromě jeho použití jako termoelektrického materiálu se stal jedním z prototypů 3D topologických izolátorů a bylo prokázáno, že dopování ve vhodných úrovních může vyvolat magnetismus a dokonce supravodivost v objemovém Bi2Se3. V tomto článku pokračujeme ve zkoumání dopování přechodnými prvky šesté skupiny, jmenovitě Mo. Rozpustnost Mo v hostitelské matrici je velmi nízká; vyvolává však pozoruhodné změny ve vlastnostech materiálu. Pro nízké úrovně dopování Mo mění vnitřní defektní strukturu Bi2Se3 představovanou vakancemi Se směrem ke struktuře charakterizované zabudovanými dvojvrstvami Bi2. Kontra intuitivně dopování Mo výrazně zvyšuje pohyblivost volných nositelů náboje v Bi2Se3 a žene jeho termoelektrický výkonový faktor k jeho maximální hodnotě rozprostírající se přes široký rozsah teplot. Podáváme důkaz, že poněkud narušená struktura nemusí být nutně škodlivá pro transport náboje v Bi2Se3. |
cze |
dc.peerreviewed |
yes |
eng |
dc.publicationstatus |
published version |
eng |
dc.identifier.doi |
10.1016/j.jssc.2019.07.045 |
eng |
dc.relation.publisherversion |
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022459619303792 |
eng |
dc.identifier.wos |
000481726300105 |
eng |
dc.identifier.obd |
39883645 |
eng |
This item appears in the following Collection(s)
Show simple item record
|
Search DSpace
Browse
-
All of DSpace
-
This Collection
My Account
|