| dc.contributor.advisor |
Bouška, Marek |
|
| dc.contributor.author |
Kocourek, Vladimír
|
|
| dc.date.accessioned |
2019-06-18T07:10:45Z |
|
| dc.date.available |
2019-06-18T07:10:45Z |
|
| dc.date.issued |
2019 |
|
| dc.date.submitted |
2019-05-10 |
|
| dc.identifier |
Univerzitní knihovna (studovna) |
|
| dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/73189 |
|
| dc.description.abstract |
Táto diplomová práca sa zameriava na prípravu tenkých vrstiev co-sputteringom zo systému GaTe-Sb2Te3. Pripravené vrstvy boli ďalej študované z hľadiska ich fyzikálno-chemických vlastností.
Zhotovené tenké vrstvy boli študované z hľadiska ich zloženia a morfológie pomocou skenovacieho elektrónového mikroskopu s energiovo-disperzným röntgenovým analyzátorom. Na analýzu povrchu boli požité metódy ako je mikroskopia atomárnych síl (AFM), skenovacia elektrónová mikroskopia (SEM) a profilometria. Hrúbka vrstiev a optické parametre boli zistené pomocou elipsometrie. Pomocou UV-VIS-NIR spektroskopie bol sledovaný posun absorpčnej hrany v závislosti na zložení vrstiev. Röntgenová difrakčná analýza bola použitá pre potvrdenie neprítomnosti kryštalickej fáze v pripravených tenkých vrstvách
Cieľom práce bolo potvrdiť predpoklad, že metóda co-sputtering je vhodná na prípravu tenkých vrstiev bez defektov. Tenké vrstvy systému Ga-Sb-Te by mohli potencionálne nájsť uplatnenie v pamätiach s fázovou zmenou alebo optických diskoch. |
slo |
| dc.format |
66 s. |
|
| dc.language.iso |
cze |
|
| dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
| dc.rights |
Bez omezení |
|
| dc.subject |
co-sputtering |
slo |
| dc.subject |
tenké vrstvy |
slo |
| dc.subject |
chalkogenidové sklá |
slo |
| dc.subject |
Ga-Sb-Te |
slo |
| dc.subject |
co-sputtering |
eng |
| dc.subject |
thin layers |
eng |
| dc.subject |
chalcogenide glasses |
eng |
| dc.subject |
Ga-Sb-Te |
eng |
| dc.title |
Příprava tenkých vrstev co-sputteringem ze systému GaTe-Sb2Te3 |
cze |
| dc.title.alternative |
GaTe-Sb2Te3 co-sputtering deposition of thin filmsGaTe-Sb2Te3 co-sputtering deposition of thin films |
eng |
| dc.type |
diplomová práce |
cze |
| dc.date.accepted |
2019-06-05 |
|
| dc.description.abstract-translated |
This thesis focuses on the preparation of thin films from the GaTe-Sb2Te3 system fabricated by co-sputtering. Prepared layers were further studied for their physical and chemical properties.
The prepared thin films were studied for their composition and morphology using a scanning electron microscope with an energy-dispersive X-ray analyzer. Methods such as atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM) and profilometry were used for surface analysis. Layer thickness and optical parameters were determined by ellipsometry. The UV-VIS-NIR spectroscopy was used for monitoring the shift of the absorption edge depending on the composition of the layers. X-ray diffraction analysis was used for confirmation of absence of the crystalline phase in the prepared thin layers
The purpose of the work was to confirm the assumption that the co-sputtering method is suitable for the preparation of thin layers without defects. Ga-Sb-Te thin layers could potentially find application in phase change memories or optical discs.
Key words
co-sputtering, thin layers, chalcogenide glasses, Ga-Sb-Te |
eng |
| dc.description.department |
Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.thesis.degree-discipline |
Polygrafie |
cze |
| dc.thesis.degree-name |
Ing. |
|
| dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.identifier.signature |
D40218 |
|
| dc.thesis.degree-program |
Polygrafie |
cze |
| dc.description.defence |
prof. Ing. petr Němec, Ph.D. - Odpovězte otázky oponenta. Proč si myslíte, že Sb2Te3 absorbuje při jakékoliv vlnové délce?
prof. Ing. Michal Veselý, CSc. - Jak jste vypočítala šířku zakázaného pásma? Jak jste vypočítala směrodatnou odchylku RMS drsnosti?
Ing. Jan Vališ, Ph.D. - Co je to BK9? |
cze |
| dc.identifier.stag |
38036 |
|
| dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
