Táto diplomová práca sa zameriava na prípravu tenkých vrstiev co-sputteringom zo systému GaTe-Sb2Te3. Pripravené vrstvy boli ďalej študované z hľadiska ich fyzikálno-chemických vlastností.
Zhotovené tenké vrstvy boli študované z hľadiska ich zloženia a morfológie pomocou skenovacieho elektrónového mikroskopu s energiovo-disperzným röntgenovým analyzátorom. Na analýzu povrchu boli požité metódy ako je mikroskopia atomárnych síl (AFM), skenovacia elektrónová mikroskopia (SEM) a profilometria. Hrúbka vrstiev a optické parametre boli zistené pomocou elipsometrie. Pomocou UV-VIS-NIR spektroskopie bol sledovaný posun absorpčnej hrany v závislosti na zložení vrstiev. Röntgenová difrakčná analýza bola použitá pre potvrdenie neprítomnosti kryštalickej fáze v pripravených tenkých vrstvách
Cieľom práce bolo potvrdiť predpoklad, že metóda co-sputtering je vhodná na prípravu tenkých vrstiev bez defektov. Tenké vrstvy systému Ga-Sb-Te by mohli potencionálne nájsť uplatnenie v pamätiach s fázovou zmenou alebo optických diskoch.
