| dc.contributor.advisor |
Ruleová, Pavlína |
|
| dc.contributor.author |
Kopecká, Kateřina
|
|
| dc.date.accessioned |
2018-06-14T06:04:49Z |
|
| dc.date.available |
2018-06-14T06:04:49Z |
|
| dc.date.issued |
2018 |
|
| dc.date.submitted |
2018-05-09 |
|
| dc.identifier |
Univerzitní knihovna (studovna) |
cze |
| dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/70839 |
|
| dc.description.abstract |
Byla připravena řada monokrystalických vzorků složení Bi2-xTaxSe3, kde x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 a 0,03. Vzorky byly charakterizovány RTG difrakcí a měřením teplotních závislostí elektrické vodivosti, Hallova koeficientu RH a Seebeckova koeficientu v oblasti teplot 100 - 470 K. Z naměřených dat byl vypočten výkonový faktor PF = ... Bylo zjištěno, že příměs Ta-atomů v krystalové struktuře Bi2Se3 má za následek zvýšení koncentrace volných nositelů proudu - volných elektronů. Tento efekt je vysvětlen modelem bodových poruch v krystalové struktuře Bi2-xTaxSe3. |
cze |
| dc.language.iso |
cze |
|
| dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
| dc.rights |
bez omezení |
cze |
| dc.subject |
monokrystal |
cze |
| dc.subject |
Bi2Se3 |
cze |
| dc.subject |
tantal |
cze |
| dc.subject |
transportní vlastnosti |
cze |
| dc.subject |
bodové poruchy |
cze |
| dc.subject |
Single-crystal |
eng |
| dc.subject |
Bi2Se3 |
eng |
| dc.subject |
tantalum |
eng |
| dc.subject |
transport properties |
eng |
| dc.subject |
point defects |
eng |
| dc.title |
Vyšetření vlivu Ta na stechiometrii a transportní vlastnosti Bi2Se3 |
cze |
| dc.title.alternative |
Investigation of the effect of Ta doping on stoichiometry and transport properties of Bi2Se3 |
eng |
| dc.type |
diplomová práce |
cze |
| dc.contributor.referee |
Plecháček, Tomáš |
|
| dc.date.accepted |
2018-06-04 |
|
| dc.description.abstract-translated |
Single crystalline Bi2-xTaxSe3 system, where x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 and 0,03 was prepared. The samples were characterized by X-ray diffraction and electrical conductivity, Hall coefficient RH and Seebeck coefficient were measured over a temperature range of 100 - 470 K. Power factor PF = ... was calculated from measured data. Doping with tantalum atoms into structure Bi2Se3 led to increase in the concentration of free carriers - free electrons. This effect was explained by the model of point defects in the Bi2-xTaxSe3 crystal structure. |
eng |
| dc.description.department |
Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.thesis.degree-discipline |
Materiálové inženýrství |
cze |
| dc.thesis.degree-name |
Ing. |
|
| dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.identifier.signature |
D37589 |
|
| dc.thesis.degree-program |
Chemie a technologie materiálů |
cze |
| dc.description.defence |
Diplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagovala na připomínky oponenta. Zodpověděla otázky členů komise: Diskutujte možnost použití Bridgmanovy metody pro přípravu monokrystalu. V jaké formě byl použit tantal při syntéze? Diskutujte změnu oxidačních stavů při syntéze. Vysvětlete Sebeckův jev/koeficient. |
cze |
| dc.identifier.stag |
35749 |
|
| dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
