Abstrakt:
Byla připravena řada monokrystalických vzorků složení Bi2-xTaxSe3, kde x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 a 0,03. Vzorky byly charakterizovány RTG difrakcí a měřením teplotních závislostí elektrické vodivosti, Hallova koeficientu RH a Seebeckova koeficientu v oblasti teplot 100 - 470 K. Z naměřených dat byl vypočten výkonový faktor PF = ... Bylo zjištěno, že příměs Ta-atomů v krystalové struktuře Bi2Se3 má za následek zvýšení koncentrace volných nositelů proudu - volných elektronů. Tento efekt je vysvětlen modelem bodových poruch v krystalové struktuře Bi2-xTaxSe3.
