Abstract:
Diplomova praca je zamerana na sledovanie odozvy chalkogenidovych skiel systemov
As2S3, As2Se3, GeS2 a GeSe2 na expoziciu UV (213 nm) pulzneho nanosekundoveho laseru.
Procesom ablacie boli vytvorene kratery s hl´bkou 4,2 - 5,8 mikro m pri priemernom toku laseroveho
lúča 14,3 J/cm2 (aktualny fotonovy tok v pulze 2,4 GW/cm2).