Enhanced Sb2S3 crystallisation by electric field induced silver doping

Zobrazit minimální záznam

dc.contributor.author Dong, Weiling cze
dc.contributor.author Krbal, Miloš cze
dc.contributor.author Kalikka, Janne cze
dc.contributor.author Chin, Xin Yu cze
dc.contributor.author Gholipour, Behrad cze
dc.contributor.author Soci, Cesare cze
dc.contributor.author Fons, P.J. cze
dc.contributor.author Mitrofanov, Kirill V. cze
dc.contributor.author Chen, Lujie cze
dc.contributor.author Simpson, Robert E. cze
dc.date.accessioned 2017-05-11T11:11:27Z
dc.date.available 2017-05-11T11:11:27Z
dc.date.issued 2016 eng
dc.identifier.issn 0040-6090 eng
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10195/67603
dc.description.abstract This work reveals that doping Ag into Sb2S3 substantially decreases its crystallisation temperature. Weshowthat applying an electric field to Sb2S3 through Ag electrodes provides control of the crystallisation temperature and crystallisation rate. The crystal nuclei incubation time decreases substantiallywhen the applied electric field is set to 200 kV/m. The applied electric field appears to force the Ag cations through the amorphous chalcogenide film resulting in Ag doped Sb2S3 filaments that extend from the cathode to the anode. This was confirmed by X-ray fluorescence composition mapping. Density functional theory molecular dynamics modelling of Ag doped Sb2S3 reveals that the diffusion constant of Ag is twice that of Sb or S over a wide temperature range, which implies that the Ag atoms are mobile in the amorphous Sb2S3 structure. The applied electric field provides a mechanism to enhance the crystallisation kinetics of Ag-doped Sb2S3. eng
dc.format p. 80-85 eng
dc.language.iso eng eng
dc.relation.ispartof Thin Solid Films, volume 616, issue: October eng
dc.rights embargoed access eng
dc.subject Sb2S3 eng
dc.subject Chalcogenide eng
dc.subject Dissolution eng
dc.subject Crystallisation eng
dc.subject Sb2S3 cze
dc.subject chalkogenid cze
dc.subject rozpouštění cze
dc.subject krystalizace cze
dc.title Enhanced Sb2S3 crystallisation by electric field induced silver doping eng
dc.title.alternative Zesílená krystalizace Sb2S3 elektrickým polem indukovaným dotací stříbra cze
dc.type article eng
dc.description.abstract-translated Tato práce ukazuje, že doping Ag do Sb2S3 podstatně snižuje jeho teplotu krystalizace. Ukázali jsme, že vložením elektrického pole na Sb2S3 prostřednictvím Ag elektrody umožňuje kontrolovat teplotu krystalizace a krystalizační rychlosti. Doba inkubace krystalizačních center se výrazně snižuje při aplikaci elektrické pole nastavené na 200 kV / m. Vložené elektrické pole zjevně přinutí kationtů Ag difundovat skrz amorfní chalkogenidovou vrstvu, což vede k tvorbě Ag dopovaných Sb2S3 vláken, které procházejí od katody k anodě. Toto bylo potvrzeno metodou X-ray fluorescenčním mapováním složení. Modelování pomocí molekulární dynamiky s využitím DFT teorie Ag dotovaného Sb2S3 ukazuje, že difuzní konstanta Ag je dvakrát větší než antimonu nebo S v širokém rozsahu teplot, což znamená, že atomy Ag jsou pohyblivé v amorfní struktuře Sb2S3. Vložené elektrické pole poskytuje mechanismus pro zlepšení kinetiky krystalizace Ag-dopovaného Sb2S3. cze
dc.peerreviewed yes eng
dc.publicationstatus postprint eng
dc.project.ID ED4.100/11.0251/CEMNAT - Centrum materiálů a nanotechnologií eng
dc.identifier.wos 000389388600012
dc.identifier.scopus 2-s2.0-84982838762
dc.identifier.obd 39877394 eng


Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam

Vyhledávání


Rozšířené hledání

Procházet

Můj účet