| dc.contributor.advisor |
Wágner, Tomáš |
cze |
| dc.contributor.author |
Bulvová, Tereza
|
|
| dc.date.accessioned |
2015-08-10T07:48:24Z |
|
| dc.date.available |
2015-08-10T07:48:24Z |
|
| dc.date.issued |
2015 |
|
| dc.identifier |
Univerzitní knihovna (studovna) |
cze |
| dc.identifier.uri |
http://hdl.handle.net/10195/60565 |
|
| dc.description.abstract |
Charakterizace a příprava chalkogenidů a tenkých vrstev. Příprava CBRAM paměťových cel. Odporové spínání. |
cze |
| dc.format |
72 s. |
cze |
| dc.format.extent |
1526144 bytes |
cze |
| dc.format.mimetype |
application/pdf |
cze |
| dc.language.iso |
cze |
|
| dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
| dc.rights |
Práce není přístupná |
cze |
| dc.subject |
CBRAM |
cze |
| dc.subject |
PMC |
cze |
| dc.subject |
memories |
cze |
| dc.subject |
resistive switching |
cze |
| dc.subject |
chalcogenide glasses |
cze |
| dc.subject |
photoinduced diffusion |
cze |
| dc.subject |
paměti |
cze |
| dc.subject |
odporové snímání |
cze |
| dc.subject |
chalkogenidová skla |
cze |
| dc.subject |
opticky indukovaná difuze |
cze |
| dc.title |
Faktory ovlivňující spínání v CBRAM paměťových celách |
cze |
| dc.title.alternative |
Factors affecting switching in CBRAM memory cells |
eng |
| dc.type |
diplomová práce |
cze |
| dc.contributor.referee |
Vlček, Milan |
cze |
| dc.date.accepted |
2015 |
cze |
| dc.description.abstract-translated |
Characterization and preparation of chalcogenides and thin films. Preparation of CBRAM memory cells. Resistive switching. |
eng |
| dc.description.department |
Katedra obecné a anorganické chemie |
cze |
| dc.thesis.degree-discipline |
Materiálové inženýrství |
cze |
| dc.thesis.degree-name |
Ing. |
cze |
| dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.identifier.signature |
D32940 |
cze |
| dc.thesis.degree-program |
Chemie a technologie materiálů |
cze |
| dc.description.defence |
Diplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací.Dále reagovala na připomínky oponenta. Zodpověděla otázky členů komise: Diskutujte vodivosti typu P, typ uváděných pamětí a rozpouatění filamentu. Proč je potřeba větaí napětí na spínání u hliníkových kontaktů? Diskutujte kvalitu cyklování zápisu a odzápisu. Proč se mění index lomu vrstvy se vzdáleností od substrátu? Proč byl použit arsenem nadstechiometrický chalkogenid? Diskutujte různý způsob použití stříbrných elektrod. Diskutujte vyredukované stříbro na povrchu. Upřesněte jak byly určeny tlouaťky vrstev. |
cze |
| dc.identifier.stag |
27125 |
cze |
| dc.date.embargo |
2035-05-05 |
cze |
| dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
