| dc.contributor.advisor |
Wágner, Tomáš |
cze |
| dc.contributor.author |
Střižík, Lukáš
|
|
| dc.date.accessioned |
2010-06-17T21:03:29Z |
|
| dc.date.available |
2010-06-17T21:03:29Z |
|
| dc.date.issued |
2010 |
|
| dc.identifier |
Univerzitní knihovna (sklad) |
cze |
| dc.identifier.uri |
http://hdl.handle.net/10195/36209 |
|
| dc.description.abstract |
Amorfní chalkogenidy systému Ge-Sb-Te mají mnoho potenciálních i reálných aplikací. Patří mezi ně i záznam dat pomocí reversibilní fázové změny mezi krystalickým a amorfním stavem. Přeměny krystalický-amorfní stav lze indukovat optickými nebo elektrickými pulsy, což je doprovázeno výraznou změnou optických (reflektivita) nebo elektrických (měrný odpor) vlastností. Předkládaná diplomová práce se zabývá přípravou amorfních chalkogenidových tenkých vrstev systému Ge-Sb-Te metodou magnetronového naprašování. U připravených vzorků byla zjišťována homogenita a složení elektronovou mikroanalýzou SEM-EDX, struktura rentgenovou difrakční analýzou XRD, optické vlastnosti UV-Vis-NIR spektroskopií a spektroskopickou elipsometrií s proměnným úhlem VASE a elektrické vlastnosti měřením plošného elektrického odporu čtyřbodovou sondou metodou podle van der Pauwa. Výsledky jsou konfrontovány s příslušnou literaturou. |
cze |
| dc.format |
113 s. |
cze |
| dc.format.extent |
42054 bytes |
cze |
| dc.format.mimetype |
application/pdf |
cze |
| dc.language.iso |
cze |
|
| dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
| dc.rights |
pouze v rámci univerzity. |
cze |
| dc.subject |
Chalkogenidová skla |
cze |
| dc.subject |
Ge-Te |
cze |
| dc.subject |
Sb-Te |
cze |
| dc.subject |
Ge-Sb-Te |
cze |
| dc.subject |
GeTe-Sb2Te3 |
cze |
| dc.subject |
tenké vrstvy |
cze |
| dc.subject |
magnetronové naprašování |
cze |
| dc.subject |
Paměti založené na fázové změně |
cze |
| dc.subject |
Chalcogenide glasses |
eng |
| dc.subject |
Ge-Te |
eng |
| dc.subject |
Sb-Te |
eng |
| dc.subject |
Ge-Sb-Te |
eng |
| dc.subject |
GeTe-Sb2Te3 |
eng |
| dc.subject |
thin films |
eng |
| dc.subject |
magnetron sputtering |
eng |
| dc.subject |
Phase-change memories |
eng |
| dc.title |
Chalkogenidová skla systému Ge-Sb-Te. |
cze |
| dc.title.alternative |
Chalcogenide Glasses of Ge-Sb-Te System. |
eng |
| dc.type |
diplomová práce |
cze |
| dc.contributor.referee |
Navrátil, Jiří |
cze |
| dc.date.accepted |
2010 |
cze |
| dc.description.abstract-translated |
Amorphous chalcogenides of Ge-Sb-Te system have many potential and real applications. One of them are data storage applications based on phase change between crystalline and amorphous states (= phase-change memories). Phase changes can be induced by optic or electric pulses, the optical (reflectivity) and electrical (resistance) properties are changed. This thesis deals with preparation of amorphous thin films of Ge-Sb-Te system by magnetron sputtering. The homogeneity and composition of prepared samples was determinated by SEM-EDX microanalysis, the structure by XRD analysis, optical properties by UV-Vis-NIR spectroscopy and by variable angle spectroscopic ellipsometry VASE and the electrical properties by measuring the electrical sheet resistance method according to van der Pauw. Results are confronted by appropriate literary works. |
eng |
| dc.description.department |
Katedra obecné a anorganické chemie |
cze |
| dc.thesis.degree-discipline |
Materiálové inženýrství |
cze |
| dc.thesis.degree-name |
Ing. |
cze |
| dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.identifier.signature |
D21975 |
cze |
| dc.identifier.signature |
D21975 |
|
| dc.thesis.degree-program |
Chemie a technologie materiálů |
cze |
| dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
