Bakalářské práce / Bachelor's works KFCH FCHT (Bc.)
Permanentní URI k tomuto záznamuhttps://hdl.handle.net/10195/5788
Procházet
5 výsledky
Search Results
Bakalářská práce Otevřený přístup Růst krystalů v tenkých vrstvách Ge-Se(Univerzita Pardubice, 2024) Hrubcová, Eliška; Barták, JaroslavTato bakalářská práce se věnuje studiu růstu krystalů ve vzorcích chalkogenidových tenkých vrstev o složení Ge20Se80. Krystalizace byla studována zejména infračervenou mikroskopií, dále elektronovou mikroskopií spolu s energiově disperzní spektroskopií a rentgenovou difrakční analýzou. Z experimentálních dat byla určena aktivační energie růstu krystalů a byla porovnána s literaturou.Bakalářská práce Otevřený přístup Kinetika růstu krystalů v amorfních tenkých vrstvách Ge25Se75(Univerzita Pardubice, 2020) Vaculík, David; Barták, JaroslavTato bakalářská práce se bude zabývat studiem kinetiky růstu krystalů v amorfních tenkých vrstvách o složení Ge2sSe75. Růst krystalů byl studován pomocí infračervené optické mikroskopie a rentgenové difrakce. Z experimentálních dat byla stanovena aktivační energie růstu krystalů a byl studován vztah mezi rychlostí růstu krystalů a viskozitou.Bakalářská práce Otevřený přístup Viskozita a růst krystalů v tenké vrstvě Se95Te5(Univerzita Pardubice, 2019) Casková, Magdaléna; Barták, JaroslavTato bakalářská práce je zaměřena na studium kinetiky krystalizace v tenkých vrstvách Se95Te5. Krystalizace byla studována pomocí optické mikroskopie, rentgenové difrakce a diferenční skenovací kalorimetrie. Dále byl studován vztah mezi viskozitou a růstem krystalů v připravených tenkých vrstvách.Bakalářská práce Omezený přístup Studie krystalizace v tenké vrstvě (GeS2)0,1(Sb2S3)0,9 pomocí optické mikroskopie(Univerzita Pardubice, 2016) Horová, Michaela; Shánělová, JanaTato bakalářská práce je věnována studiu krystalizace tenké vrstvy chalkogenidového skla o složení (GeS2)0,1(Sb2S3)0,9. Tenká vrstva byla nanesena na povrch mikroskopických skel metodou napařování. Skla byla rozřezána a následně zahřívána různými rychlostmi. Vzrůst teploty během zahřívání způsobil krystalizaci Sb2S3 v tenké vrstvě. Nukleace a růst krystalů byly sledovány pomocí optické mikroskopie. Získaná data byla zpracována kinetickou analýzou s cílem stanovit aktivační energii procesu a parametry kinetických modelů.Bakalářská práce Omezený přístup Růst krystalů GeS2 v taveninách systému Ge-S(Univerzita Pardubice, 2015) Slavíková, Eliška; Shánělová, JanaTato bakalářská práce se zabývá studiem růstu krystalů GeS2 v taveninách systému Ge-S. V teoretické části je popsána charakteristika chalkogenidových skel, struktura GeS2, oblast sklotvornosti systému Ge-S, princip nukleace a mechanismy růstu krystalů. Experimentální část práce je zaměřena na mikroskopické sledování rychlosti růstu krystalů GeS2 ve vzorcích sklovitého Ge34S66 při různých teplotách.