| dc.contributor.author |
Zhang, Bo
|
|
| dc.date.accessioned |
2017-09-19T08:24:41Z |
|
| dc.date.available |
2017-09-19T08:24:41Z |
|
| dc.date.issued |
2017 |
|
| dc.date.submitted |
2017-07-12 |
|
| dc.identifier |
Univerzitní knihovna (studovna) |
cze |
| dc.identifier.uri |
http://hdl.handle.net/10195/69351 |
|
| dc.description.abstract |
Technologie resistivního přepínání paměti slibuje budoucnost, které nahradí tradiční paměť typu "flash-disku" nebo diskové paměti. Tenká vrstva chalkogenidu, dopovaného Ag nebo Cu, je typickým elektrolytem a vysoký a nízky odpor se upravují v důsledku tvorby a rozpouštění vodivého vlákna. Přesněji řečeno, AsS2 a GeSe2 byly vybrány jako elektrolyt a Ag bylo dopovaná v elektrolytické vrstvě "foto-dopingem" a rozpouštěním z horní nebo spodní vrstvy kovu do elektrolytu. Navíc geometrie paměťových cel ovlivňuje také parametry odporového spínání. |
cze |
| dc.format |
76 s. |
|
| dc.language.iso |
eng |
|
| dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
| dc.rights |
bez omezení |
cze |
| dc.subject |
odporové spínání |
cze |
| dc.subject |
tenké vrsty chalkogenidů |
cze |
| dc.subject |
vodivé vlákno |
cze |
| dc.subject |
resistive switching |
eng |
| dc.subject |
chalcogenide thin layer |
eng |
| dc.subject |
conductive filament |
eng |
| dc.title |
Odporové spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů |
cze |
| dc.title.alternative |
Resistive switching with chalcogenide thin layer |
eng |
| dc.type |
disertační práce |
cze |
| dc.contributor.referee |
Míka, Martin |
|
| dc.contributor.referee |
Navrátil, Jiří |
|
| dc.contributor.referee |
Vlček, Miroslav |
|
| dc.date.accepted |
2017-09-07 |
|
| dc.description.abstract-translated |
Resistive switching memory technology shows promising future to replace the traditional flash-disc or disk memory. Ag or Cu doped chalcogenide thin layer is typical electrolyte and the high and the low resistance is adjusted due to the formation and dissolution of conductive filament. More specifically, AsS2 and GeSe2 were selected as electrolyte and Ag was doped in the electrolyte layer by photo doping and dissolution from the top or bottom of electrolyte layer. In addition, the geometries of device also influence the parameters of resistive switching behaviour. |
eng |
| dc.description.department |
Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.thesis.degree-discipline |
Chemistry and Technology of Inorganic Materials |
cze |
| dc.thesis.degree-name |
Ph.D. |
|
| dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.identifier.signature |
D36784 |
|
| dc.thesis.degree-program |
Chemistry and Technology of Materials |
cze |
| dc.description.defence |
Zasedání zahájil předseda zkušební komise pro obhajobu disertační práce prof. Ing. Ladislav Koudelka, DrSc. a konstatoval, že oponent disertační práce Doc. Ing. Martin Míka, Dr. se omluvil z jednání komise. Konstatoval přitom, že zbývající dva oponenti jsou jednání přítomni a nepřítomný oponent podal kladný posudek a doporučuje přijetí práce k obhajobě. Následně navrhnul dle Studijního a zkušebního řádu Univerzity Pardubice hlasování o tom, zda členové komise souhlasí za těchto podmínek s obhajobou. Komise jednomyslným hlasováním rozhodla o konání obhajoby i za nepřítomnosti jednoho z oponentů. Dále pak představil členům komise Mgr. Bo Zhanga ze studijního směru 2808V003 "Chemie a technologie anorganických materiálů", který předložil k obhajobě disertační práci s názvem: "Resistive switching with chalcogenide thin film" a seznámil členy komise s doporučením školitele prof. ing. Tomáše Wágnera, DrSc. a stanoviskem vedoucího školicího pracoviště k předložené práci. Následně pak doktorand seznámil komisi s předmětem a výsledky své disertační práce. Celá obhajoba byla vedena v jazyce anglickém.
Po referátu doktoranda následovalo projednání oponentských posudků. Všichni tři oponenti postupně přečetli své posudky a následně doktorand zodpověděl jejich dotazy a diskutoval jejich připomínky. V diskusi po projednání oponentských posudků byla pozornost zaměřena na vhodnost chalkogenidových skel či oxidových skel pro konstrukci studovaných pamětí. Dále pak byla diskutována rovněž problematika možných rozdílů mezi složením výchozích skel a napařených tenkých vrstev. Diskutována byla též otázka perspektivní konstrukce spínacích prvků.
Po skončení veřejné rozpravy proběhlo neveřejné zasedání komise, na kterém došlo po debatě k hlasování. Z přítomných 7 členů komise se 7 vyjádřilo pro výsledek obhajoby "splněno" a udělení vědecké hodnosti doktor (Ph.D.) Mgr. Bo.Zhang. Předseda komise poté seznámil doktoranda s výsledkem hlasování komise, poděkoval členům komise i oponentům za jejich účast na obhajobě a ukončil jednání komise.
Souvislost mezi výsledky uvedenými v disertační práci a předkládanými publikacemi:
Obě dvě přiložené publikace doktoranda souvisí s předloženou disertační prací.
Vyjádření komise k podílu studenta na předkládaných publikacích:
Podíl doktoranda na uvedených publikacích je nepochybný. |
cze |
| dc.identifier.stag |
34229 |
|
| dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
