Odporové spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů
Disertační práceDatum publikování
2017
Autoři
Vedoucí práce
Název časopisu
Název svazku
Vydavatel
Univerzita Pardubice
Abstrakt
Technologie resistivního přepínání paměti slibuje budoucnost, které nahradí tradiční paměť typu "flash-disku" nebo diskové paměti. Tenká vrstva chalkogenidu, dopovaného Ag nebo Cu, je typickým elektrolytem a vysoký a nízky odpor se upravují v důsledku tvorby a rozpouštění vodivého vlákna. Přesněji řečeno, AsS2 a GeSe2 byly vybrány jako elektrolyt a Ag bylo dopovaná v elektrolytické vrstvě "foto-dopingem" a rozpouštěním z horní nebo spodní vrstvy kovu do elektrolytu. Navíc geometrie paměťových cel ovlivňuje také parametry odporového spínání.
Rozsah stran
76 s.
ISSN
Trvalý odkaz na tento záznam
Projekt
Zdrojový dokument
Vydavatelská verze
Přístup k e-verzi
bez omezení
Název akce
ISBN
Studijní obor
Chemistry and Technology of Inorganic Materials
Studijní program
Chemistry and Technology of Materials
Signatura tištěné verze
D36784
Umístění tištěné verze
Univerzitní knihovna (studovna)
Přístup k tištěné verzi
Klíčová slova
odporové spínání, tenké vrsty chalkogenidů, vodivé vlákno, resistive switching, chalcogenide thin layer, conductive filament