Tato bakalářská práce je věnována studiu krystalizace tenké vrstvy chalkogenidového skla o složení (GeS2)0,1(Sb2S3)0,9. Tenká vrstva byla nanesena na povrch mikroskopických skel metodou napařování. Skla byla rozřezána a následně zahřívána různými rychlostmi. Vzrůst teploty během zahřívání způsobil krystalizaci Sb2S3 v tenké vrstvě. Nukleace a růst krystalů byly sledovány pomocí optické mikroskopie. Získaná data byla zpracována kinetickou analýzou s cílem stanovit aktivační energii procesu a parametry kinetických modelů.
