Vybrané optické a transportní vlastnosti polykrystalu Ga2Te3

Zobrazit minimální záznam

dc.contributor.advisor Janíček, Petr cze
dc.contributor.author Sajdlová, Světlana
dc.date.accessioned 2012-09-14T04:42:37Z
dc.date.available 2012-09-14T04:42:37Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier Univerzitní knihovna (studovna) cze
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10195/47515
dc.description.abstract Tato bakalářská práce se zabývá vyšetřením optických a transportních vlastností polovodiče Ga2Te3 měřením závislostí indexu lomu a absorpčního koeficientu na energii fotonů dopadajícího záření a dále teplotní závislost elektrické vodivosti. Z výsledků těchto měření byla zjištěna šířka zakázaného pásu Eg polovodiče Ga2Te3. Jako výsledek byly porovnány její hodnoty určené z optických a transportních měření. Pro měření byly vylisované polykrystalické vzorky metodou hot - pressing. Materiál Ga2Te3 byl připraven syntézou a následnou temperací z elementárních prvků v stechiometrickém poměru. cze
dc.format cze
dc.format.extent 1475949 bytes cze
dc.format.mimetype application/pdf cze
dc.language.iso cze
dc.publisher Univerzita Pardubice cze
dc.rights Bez omezení cze
dc.subject Ga2Te3 cze
dc.subject pásová struktura cze
dc.subject šířka zakázaného pásu cze
dc.subject absorpční hrana cze
dc.subject mezipásové přechody cze
dc.subject optický a termický gap cze
dc.subject Ga2Te3 cze
dc.subject band structure cze
dc.subject band gap cze
dc.subject absorption edge cze
dc.subject interband transitions cze
dc.subject optical and thermal gap cze
dc.title Vybrané optické a transportní vlastnosti polykrystalu Ga2Te3 cze
dc.title.alternative Selected optical and transport properties of polycrystalline Ga2Te3 eng
dc.type bakalářská práce cze
dc.date.accepted 2012 cze
dc.description.abstract-translated The aim of this study was to investigate the optical and transport properties of gallium telluride with measurements of dependence of the refractive index and absorption coefficient to incident radiation energy; next temperature dependence of electrical conductivity. As the results of these measurements optical and thermal width of forbidden gap Eg of semiconductor Ga2Te3 was observed. Its values determined from optical and transport measurements were compared as the result. Polycrystalline samples for the measurement were made by hot - pressing method. Material Ga2Te3 was prepared by synthesis of the basic elements in a stoichiometric ratio and subsequent tempering. eng
dc.description.department Ústav aplikované fyziky a matematiky cze
dc.thesis.degree-discipline Chemie a technická chemie cze
dc.thesis.degree-name Bc. cze
dc.thesis.degree-grantor Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická cze
dc.identifier.signature Práce dosud není ve studovně dostupná cze
dc.thesis.degree-program Chemie a technická chemie cze
dc.description.defence Bakalářka přednesla výsledky své bakalářské práce a zodpověděla dotazy členů komise. cze
dc.identifier.stag 17365 cze
dc.description.grade Dokončená práce s úspěšnou obhajobou cze


Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam

Vyhledávání


Rozšířené hledání

Procházet

Můj účet