Tato bakalářská práce se zabývá vyšetřením optických a transportních
vlastností polovodiče Ga2Te3 měřením závislostí indexu lomu a absorpčního
koeficientu na energii fotonů dopadajícího záření a dále teplotní závislost elektrické
vodivosti. Z výsledků těchto měření byla zjištěna šířka zakázaného pásu Eg polovodiče
Ga2Te3. Jako výsledek byly porovnány její hodnoty určené z optických a
transportních měření. Pro měření byly vylisované polykrystalické vzorky metodou hot - pressing.
Materiál Ga2Te3 byl připraven syntézou a následnou temperací z elementárních
prvků v stechiometrickém poměru.
