Fotocitlivost a selektivní leptání vrstev v systému As-S-Se

Kolářová, Dominika

Digitální knihovna UPCE
→
Fakulta chemicko-technologická / Faculty of Chemical Technology
→
Katedra obecné a anorganické chemie / Department of General and Inorganic Chemistry
→
Diplomové práce / Theses KOANCH FCHT (Ing.)
→
Zobrazit záznam

dc.contributor.advisor	Vlček, Miroslav
dc.contributor.author	Kolářová, Dominika
dc.date.accessioned	2008-08-12T06:22:54Z
dc.date.available	2008-08-12T06:22:54Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier	Univerzitní knihovna (sklad)	cze
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10195/28776
dc.description.abstract	Předmětem této diplomové práce bylo studium struktury objemových vzorků a tenkých vrstev systému As-S-Se v řezu As4Se3 – As35S65, jejich změn při expozici a s tím spojených změn optických parametrů vrstev. Dalším úkolem bylo nalézt vhodné alkalické leptací lázně pro selektivní leptání tenkých vrstev tohoto systému. Výchozí objemové vzorky byly připraveny přímou syntézou z prvků a z nich byly dále metodou vakuového napařování připraveny tenké vrstvy o složeních As35S65, (As35S65)3(As4Se3)1 (=As40,625S48,75Se10,71), (As35S65)1(As4Se3)1 (=As46,075S32,5Se21,425), (As35S65)1(As4Se3)3 (=As51,61S16,25Se32,13) a As4Se3.	cze
dc.format	68 s.	cze
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.subject	Chalkogenidová skla	cze
dc.subject	fotocitlivost	cze
dc.subject	Ramanova spektra	cze
dc.title	Fotocitlivost a selektivní leptání vrstev v systému As-S-Se	cze
dc.title.alternative	Photosensitivity and selective etching of film in the As-S-Se system	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dc.contributor.referee	Drašar, Čestmír
dc.date.accepted	2008
dc.description.abstract-translated	This work deals with study of structure of bulk samples and thin films in As-S-Se system in cross-section As4Se3 – As35S65, photoinduced structural changes and accompanying changes of optical parameters of thin films. Another task was to find suitable alkaline bath for selective etching of thin films in this system. Bulk samples were synthesized from elements and thin films with compositions As35S65, (As35S65)3(As4Se3)1 (=As40,625S48,75Se10,71), (As35S65)1(As4Se3)1 (=As46,075S32,5Se21,425), (As35S65)1(As4Se3)3 (=As51,61S16,25Se32,13) and As4Se3 were consequently deposited from them by the vacuum evaporation method.	eng
dc.description.department	Katedra obecné a anorganické chemie	cze
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.identifier.signature	D18883
dc.thesis.degree-program	Chemie a technická chemie	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze